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真空鍍膜設(shè)備主要是指需要在高真空度下進行的鍍膜，包括多種，包括多弧離子真空鍍膜設(shè)備、真空離子蒸發(fā)、光學(xué)鍍膜機、磁控濺射、MBE分子束外延、PLD激光濺射沉積等。真空鍍膜的工作原理是薄膜在高溫下蒸發(fā)，落到工件表面結(jié)晶。因為空氣會對蒸發(fā)的膜分子產(chǎn)生阻力，造成碰撞，使晶體變得粗糙、暗淡，所以需要在高真空下使晶體變得細小、光亮。真空度不高，晶體會失去光澤，結(jié)合力差。早期真空鍍膜依靠蒸發(fā)物的自然散射，結(jié)合效率差，光澤度差。現(xiàn)在，隨著中頻磁控濺射靶的加入，膜體的蒸發(fā)分子在電場的作用下受到靶材的轟擊，大量的靶原子被濺射出來，中性的靶原子(或分子)沉積在襯底上形成薄膜，解決了以往自然蒸發(fā)無法處理的膜體品種，如鍍鈦、鍍鋯等問題。
主要分為以下幾類:蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜、離子鍍。
蒸發(fā)涂層:蒸發(fā)涂層被稱為蒸發(fā)涂層，它通過加熱蒸發(fā)一種物質(zhì)，并將其沉積在固體表面。該方法最早由m.法拉第于1857年提出，現(xiàn)已成為現(xiàn)代常用的涂層技術(shù)之一。
與其他真空鍍膜方法相比，蒸發(fā)鍍膜具有更高的沉積速率，可以沉積不容易熱分解的單質(zhì)和化合物薄膜。為了沉積高純度單晶薄膜，可以使用分子束外延。
濺射鍍膜:高能粒子轟擊固體表面時，固體表面的粒子可以獲得能量并逸出表面沉積在基底上。濺射于1870年開始用于鍍膜技術(shù)，1930年后由于沉積速率的提高而逐漸用于工業(yè)生產(chǎn)。
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