1）增強(qiáng)ARE型。利用電子束進(jìn)行加熱；充入Ar，其它惰性氣體，反應(yīng)氣體氧氣，氮?dú)獾?；離化方式：探極除吸引電子束的一次電子，二次電子外，增強(qiáng)極發(fā)出的低能電子也可促進(jìn)氣體離化。真空蒸發(fā)這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，

要對(duì)基板加；可用于鍍機(jī)械制品，電子器件，裝飾品。

2）低壓等離子體離子鍍（LPPD）。利用電子束進(jìn)行加熱；依靠等離子體使充入的惰性氣體，反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，要對(duì)基板加熱，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能獲得氧化鋁，氮化鈦，碳化鈦等離子化合物鍍層；可用于鍍機(jī)械制品，電子器件，裝飾品。

3）真空泵電場(chǎng)蒸發(fā)。利用電子束進(jìn)行加熱依靠電子束形成的金屬等離子體進(jìn)行離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，要對(duì)基板加熱，帶電場(chǎng)的真空蒸鍍，鍍層質(zhì)量好；可用于鍍電子器件，音響器件。

4）感應(yīng)離子加熱鍍。利用高頻感應(yīng)進(jìn)行加熱；依靠感應(yīng)漏磁進(jìn)行離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，能獲得化合物鍍層；可用于機(jī)械制品，電子器件，裝飾品。

5）集團(tuán)離子束鍍。利用電阻加熱，從坩鍋中噴出集團(tuán)狀蒸發(fā)顆粒。依靠電子發(fā)射或從燈絲發(fā)出電子的碰撞作用進(jìn)行離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，即能鍍金屬膜又能直接鍍化合物膜，如氧化鋅等；可用于鍍電子器件，音響器件。

6）多弧離子鍍。利用陰極弧光進(jìn)行加熱；依靠蒸發(fā)原子束的定向運(yùn)動(dòng)使反應(yīng)氣體(或真空)離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升較大，離化率高，沉積速率大；可用于鍍機(jī)械制品，刀鋸，模具。

真空鍍膜技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)

科技發(fā)展愈來(lái)愈快，信息高速公路，數(shù)字地球等新概念的提出，影響和帶動(dòng)了全球高科技的發(fā)展，目前，生命科學(xué)，環(huán)?？萍?，材料科學(xué)和納米科技是高科技重點(diǎn)研究的領(lǐng)域；納米科技中又以納米電子學(xué)為優(yōu)先研究領(lǐng)域。 

目前計(jì)算機(jī)和信息技術(shù)的基礎(chǔ)是超大規(guī)模集成電路；但下個(gè)世紀(jì)的基本元件將是納米電子集成電路。它是微電子器件的下一代，有自己的理論，技術(shù)和材料?，F(xiàn)有微電子器件的主要材料是極純的硅，鍺等晶體半導(dǎo)體。納米電

子器件有可能是以有機(jī)或無(wú)機(jī)復(fù)合晶體薄膜為主要原理，要求純度更高，結(jié)構(gòu)更完善。真空制備的清潔環(huán)境，有希望加工組裝出納米電子器件所要求的結(jié)構(gòu)。 

總之，表面和薄膜科學(xué)，微電子器件及納米技術(shù)等迅速發(fā)展，將使一起開(kāi)發(fā)和檢測(cè)方法體系研究成為真空鍍膜技術(shù)中的發(fā)展重點(diǎn)；而電子束蒸發(fā)源將是真空鍍膜技術(shù)中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。