(3)真空鍍膜機真空包裝

真空泵抽至6.6x10-3pa。逐漸是粗抽，從空氣抽至5pa上下，用食油擴散泵開展細抽。在粗抽時，可以烤制加溫至150℃。隨著鍍膜室溫度的上升，器壁放空氣會使真空值減少，隨后又回暖，直到溫度上升到6.6x10-3pa時才能開展鍍膜工作中。

(4)負電子清理

①氬直流濺射清理

真空值：通人高純氬氣瓶(99.999%)真空值維持在2～3pa。負電子工作電壓：800～1000v。負電子時間：10min.

此時在真空泵鍍膜房間內(nèi)產(chǎn)生電弧放電，充放電造成的氬正離子以較高的力量碰撞產(chǎn)品工件表層，將產(chǎn)品工件表層吸咐的汽體、殘渣和產(chǎn)品工件表層分子磁控濺射出來，外露原材料的新鮮表層。

②鈦負電子

真空值：通人高純氬氣瓶使真空值維持在2x10-2pa。單脈沖偏壓：400～500v，pwm占空比20%。電孤電流量：60～80a，交替點燃電孤?lián)]發(fā)源，每一個電孤?lián)]發(fā)源點燃1～2min。

(5)真空鍍膜機鍍膜

①pvd涂層

真空值：通人高純氬氣瓶，真空值維持在2x10-2pa。單脈沖偏壓：200～300v，pwm占空比50%。電孤電流量：60～80a，點燃所有弧源，時間2～3min.

②鍍ticn

真空值：通人高純氫氣使真空值維持在(3～8)x10-1pa，隨后再慢慢加大c2h2汽體，伴隨著c2h2汽體量擴大，色澤由金黃色一赤金黃一玫瑰金色一灰黑色轉變。操縱n2與c2h2二種混合氣體的百分比可以做到設定的飽和度。

電孤電流量：50～70a。單脈沖偏壓：100～150v，pwm占空比60%～80%。堆積溫度：200℃上下。鍍膜時間：10～20min，膜層薄厚0.2～0.5μm。

(6)制冷

真空鍍膜機鍍膜工藝流程完畢后，首先關掉電孤開關電源和偏壓電源，隨后關掉氣動閥門、轉停架。產(chǎn)品工件在真空泵鍍膜房間內(nèi)制冷至80～100℃時，向鍍膜房間內(nèi)充空氣，取下產(chǎn)品工件。

以上是多弧正離子真空鍍膜機鍍膜加工工藝通用性步驟，運用普遍，也是最多見的。